Химическое осаждение (PECVD & CVD) германида кремния (SiGe)

Vendor: Oxford Instruments Plasma Technology

Пленка германида кремния (SiGe) толщиной 10 мкм

Химическое осаждение (PECVD) кремниевых нанопроводов

Vendor: Oxford Instruments Plasma Technology

Кремниевые нанопровода выращенные на расплавленных каплях галия (Ga)

Химическое осаждение (PECVD) оксида титана (TiO2)

Vendor: Oxford Instruments Plasma Technology

Пример конформного химического осаждения TiO2 с применением источника ИСП

Химическое осаждение (PECVD) гексагонального нитрида бора (hBN)

Vendor: Oxford Instruments Plasma Technology

СЭМ изображение домена hBN, снятое в момент роста до завершения реакции

Химическое осаждение (PECVD) графена

Vendor: Oxford Instruments Plasma Technology

Фотографии 200 мм пластины с выращенным на ней вертикально ориентированным графеном