Ion Beam Implanters

Ion Beam Services — инновационное оборудование для ионной имплантации купить в Техноинфо Ионно-лучевой имплантер IMC-200/400 купить

R&D flexible ion implantation



The IMC series addresses the lack of modern equipmentfor new type of production implants and advanced research. The IMC tool has been designed to be easy to use, easy to maintain, and with high reliability.

  • Up to 4 active gas lines/4 remote neutrals lines and optional vaporizer and liquid delivery
  • Ion sources choice: IHC, sputtering...
  • Manual or automatic loading end-station with hot or cold platen
  • Intuitive and user friendly interface
  • Simple design, easy troubleshooting
  • Direct ethernet or modem access for fast diagnosis
  • Equipment pre-wired for expected future source and/or platen options
  • Spare electronics channels and software structure designed for upgrades
  • Unconventional species (Al, Yb, Te, etc)
  • On compounds and new substrates (GaAs, SiC, InSb, HgCdTe, LiNbO3…)
  • Outside of standard boundaries (+600°C, -100°C…)



Система состоит из следующих основных частей:

1. ТРАКТ ПУЧКА, который в свою очередь состоит из:

  • ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО МАСС-СЕПАРАТОРA секторного типа с углом поворота 900. с разрешением M/ΔM=100, специально спроектированного для минимальной потери тока пучка.
  • ЗАСЛОНКИ ПУЧКА ПЕРЕМЕННОГО СЕЧЕНИЯ, расположенной в фокусе масс-сепаратора и блокирующей часть пучка, что позволяет управлять током пучка путем изменения ее положения
  • УСКОРИТЕЛЬНОЙ КОЛОННЫ, состоящей из последовательности электрополированных алюминиевых электродов, которые обеспечивают равномерное ускорение ионов. Максимальное ускоряющее напряжение 180 кВ, подаваемое на колонну,вместе с напряжением вытягивающей системы (30 кВ) позволяют производить процесс имплантации с энергиями ионов до 200 кВ.
  • СИСТЕМЫ ФОКУСИРОВКИ, оптимизированной для работы во всем диапазоне доступных энергий ионов.

2 ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА, которая состоит из:

  • СИСТЕМ ОТКАЧКИ двухступенчатого типа для зоны ионного источника и тракта пучка/приемной станции
  • КЛАПАНОВ И ЗАТВОРОВ, которыми снабжены все узлы, находящиеся под вакуумом (камеры, тракт пучка, источник ионов).
  • ДАТЧИКОВ ВАКУУМА – в основном типа Пирани-Пеннинг, позволяющими измерять вакуум в диапазоне от 10-8 до атмосферного давления.

3 СИСТЕМА КОНТРОЛЯ ДОЗЫ, разработана IBS и позволяет измерять плотность тока пучка от 50 нА до 10 мА. Диапазон дозы имплантируемых частиц может изменяться в пределах от 1011 ат./см2 до 1018 ат./см2.
4 СИСТЕМА X-Y ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ разработана IBS и полностью управляется программным обеспечением.
5 ВСПОМОГАТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ, которое состоит из:

  • система подготовки деионизованной воды
  • система подачи технических сред
6 ЭЛЕКТРОНИКА И ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ разработаны с использованием современной элементной базы от передовых поставщиков электрооборудования (Шнайдер Электрик для электрики и командной логики), что обеспечивает доступность запасных частей.
7 СИСТЕМА МОНИТОРИНГА отслеживает ошибки сканирования и контролирует дозу через разработанное IBS оборудование, связанное с управляющим ПО.
8. ПРИЕМНАЯ СТАНЦИЯ: включает приемную камеру и систему управления

Разнообразные способы доставки прекурсоров

– газообразных (до 4 баллонов с активными газами, столько же с инертными газами) – доставка газа может быть организована системами SDS и Uptime
– жидких (CCl4, TiCl4 и др)
– твердых
Специально разработанные ионные источники
– низко- и высокотемпературные испарители
– источники Фримана и Берна
– распылительные источники

Разработка технологических процессов непосредственно компанией IBS

Загрузочная станция

1. Ручная загрузка / загрузка с использованием собственного веса подложки используется для:
– научно-исследовательских целей
– высокочувствительных подложек
– подложек нестандартной геометрии
– одиночной или групповой загрузки
2. Полностью автоматическая загрузка используется для:
– серийного производства
– достижения низкого уровня загрязнений
– настройки расположения подложек
– *наличие загрузочного шлюза
Генератор водорода
Эта технология подачи водорода с низким давлением, позволяет в режиме реального времени генерировать поток водорода при абсолютном давлении около 0,5 бар. Генерация водорода происходит по запросу системы, вместо его хранения в сосудах под давлением, что повышает безопасность работы.

Размер подложки: от совсем малых до 150 мм

Энергия однозарядных ионов: от 20 до 400 кэВ

Диапазон доз имплантируемых материалов от 5х1010 до 5х1018 ат/см2

Угол поворота подложки от 0° до 45°

Ток пучка до 1500 мкA

ccdb69b84eb1a737ea8ce6421a5a6266.jpeg

Ионы образуются в источнике (1) (ионные источники см. вкладку “опции”). Здесь же происходит первичное формирование пучка ионов. Сепарация ионов по массам осуществляется в секторном электромагнитном масс-сепараторе (2) с углом поворота 900. Величина индукции магнитного поля электромагнита позволяет сепарировать ионы до M/dM=100. После сепарации ионы попадают в ускорительную колонну (3), которая состоит из последовательности алюминиевых электродов, далее ионный пучок (ii) фокусируется в квадрупольной системе (4). Ускоренный сфокусированный пучок попадает в приемную камеру (5), в которой находится цилиндр Фарадея(6), измеряющий ток пучка ионов на пластине. Поддержание вакуума в приемной камере осуществляется системой откачки (7). Остаточный давление в камере составляет порядка 10-7 мбар. Обрабатываемая пластина (8) располагается под требуемым углом по отношению к падающему пучку. После окончания технологического процесса образец отправляется в загрузочный шлюз (9).

Примеры работ, выполненных с помощью ионно-лучевых имплантеров от IBS:

1. Silicon nanocrystal synthesis by implantation of natural Si isotopes
https://www.researchgate.net/profile/Julien_Demarche/publication/237072073_Silicon_nanocrystal_synthesis_by_implantation_of_natural_Si_isotopes/links/0c96052d93625eea89000000.pdf

2. Influence of nitrogen on the growth and luminescence of silicon nanocrystals embedded in silica
3. Evolution of microstructural defects with strain effects in germanium nanocrystals synthesized at different annealing temperatures