Анизотропное травление нитрида титана (TiN)
Лаборатория компании АМО г. Аахен, Германия: травление TiN – полосы шириной 90 нм
 |  |  |  |
|---|---|---|---|
| ширина линий TiN 90 нм скорость травления > 100 нм/мин (с ICP) селективность TiN : HSQ примерно 3 : 1 перетравливание происходит с высокой селективностью к подзатворному диэлектрику (до 80 : 1) равномерность по 150 мм пластине < ± 3 % травление в атмосфере Cl/Br | травление структуры TiN(1мкм)/Si(0.5мкм) - маска не удалена | травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) - маска не удалена | травление структуры TiN(0,25мкм)/Si(0.3мкм) - маска удалена |
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы - 13.56 МГц
- подача газа через "газовый душ"
- низкое рабочее давление
Результаты:
- скорость: 25 нм/мин
- маска: трехслойный резист
- анизотропный профиля