Skip

Nanopsis M

Микросферный оптический микроскоп с разрешением до 50 нм. Использование микросфер на поверхности объектива позволяет обойти дифракционной предел как в ближнепольном микроскопе. Таким образом появляется возможность изучать материалы на разрешениях до 50 нм в нативном состоянии без использования вакуума.


Ультрасовременные микроскопы для визуализации в белом свете, которые способны преодолеть оптический дифракционный предел, используя патентованную микросферную усиливающую линзу со сверхразрешением (SMAL). Микросфера представляет собой крошечную стеклянную бусину, действующую как оптический усилитель. Ее размещают между стандартным оптическим прибором и образцом. Сфера аккумулирует нераспространяющиеся затухающие волны (как правило, видимые только в ближнем поле) и проецирует их в дальнее поле, позволяя таким образом выйти за рамками дифракционного предела света. Специализированное программное обеспечение, в сочетании с прецизионным столиком, позволяет автоматически сшивать снимки и создавать изображения больших площадей размером до 200 х 200 мкм.

NANOPSIS M представляет собой полноценную систему, специально разработанную для исследования образцов материалов от микрофлюидики и полупроводников до графена и прочих передовых 2-D материалов. Используя систему SMAL, исследователи получают возможность неинвазивной визуализации со сверхвысоким разрешением, что позволяет изучать образцы в исследовательских целях, для контроля качества, валидации образцов и т.д. быстро и без специальной пробоподготовки.

Почему оптическая микроскопия от Nanopsis?:
- визуализация как проводящих, так и диэлектрических объектов с характерными размерами до 50 нм и с
увеличением до х400
9320b4d623e698a40ff8a28a7909e6dd.pngИзображение ИС одного из устройств Apple, полученное с помощью Nanopsis. Расстояние между элементами 50 нм, что отчетливо видно на следующем SEM изобр.

- между объектом и линзой необходима водная, либо масляная среда, зато исследование проходит без разрушения структур;
- рабочее расстояние от образца до объектива ~ 1 мкм с глубиной резкости, позволяющей разрешать многослойные структуры, характерные для микроэлектроники;
- рабочее поле до 200х200 мкм;
- экспресс сшивка снимков с помощью современного ПО;
- нет необходимости создавать вакуум или использовать лазерное излучение;
22af58166b7c4a2119ff4692a1a6ac01.png