FlexAL

Cистема атомно-слоевого осаждения (ALD) со шлюзовой камерой FlexAL - это система для самоограничивающегося послойного роста сплошных тонких пленок, отличающихся высокой конформностью

Oxford Instruments’ FlexAL product family provides a new range of flexibility and capability in the engineering of nanoscale structures and devices by offering remote plasma atomic layer deposition (ALD) processes and thermal ALD within a single system to deliver:

  • Maximum flexibility in the choice of materials and precursors
  • Low-temperature processes enabled by plasma ALD
  • Low damage maintained by the use of remote plasma
  • Controllable, repeatable processes via recipe-driven software interface


Example ALD applications

  • Nano-electronics
  • High-k gate oxides
  • Storage capacitor dielectrics
  • High aspect ratio diffusion barriers for Cu interconnects
  • Pinhole-free passivation layers for OLEDs and polymers
  • Passivation of crystal silicon solar cells
  • Highly conformal coatings for microfluidic and MEMS applications
  • Coating of nanoporous structures
  • Bio MEMS
  • Fuel cells

The FlexAL atomic layer deposition tool is available as:

  • FlexALRPT offering both remote plasma and thermal ALD in a single system to provide a wide choice of precursors and processes
  • FlexALRPX offering the widest range of precursor options within both remote plasma and thermal ALD, having the maximum number of precursor delivery modules and deposition temperatures up to 700 ºC

Key Features

  • Remote plasma & thermal ALD in one flexible tool
  • Automated 200mm load lock for process flexibility
  • Clusterable for vacuum transfer of substrates
  • Cassette to cassette handling increases throughput suitable for productionClick here to view our applicable processes

We work closely with our customers to develop new and customised processes according to their application needs; please contact us for details.

Для осаждения каждой пленки необходимо использовать специальный прекурсор. Рассмотрим эту технологию на примере осаждения оксида алюминия на кремниевую подложку, который проходит в 4 этапа (см. рис.):
a17b662b6e0ec7b14e35c95337be7a6f.png
1) 2) 3) 4)

На первом этапе вы, с помощью быстродействующей системы подачи газа, напускаете в рабочую камеру прекурсор – триметилалюминий (TMA), который реагирует с поверхностью, образуя оксид алюминия с двумя метильными группами. Далее – продувка инертным газом. Третьим этапом происходит напуск кислорода в камеру с поджигом плазменного разряда. Активированный кислород реагирует с алюминием, ОН-группа вытесняет метильные группы и после еще одной продувки мы имеем слой оксида алюминия и ОН-группой. Далее эти циклы повторяются и у нас получается Al2O3