Травление сапфира (Al2O3) с применением индуктивно-связанной плазмы

Лаборатория OIPT: травление сапфира с наклоном боковой стенки в 80о

es_02.jpg es_01.jpg
Лаборатория OIPT: травление сапфира с наклоном боковой стенки в 80о Лаборатория OIPT: анизотропный профиль протравленного сапфира
Технологические особенности:
  • реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы – 13.56 МГц
  • ВЧ управляемый нижний электрод

Результаты:

  • скорость: 65 нм/мин
  • равномерность 2,5% по 50 мм пластине
  • селективность к Ni маске > 7 : 1
  • профиль: анизотропный (наклон 80о)
  • гладкие боковые стенки