Травление тантала (Ta) с помощью индуктивно-связанной плазмы
Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм
 |
|---|
| Лаборатория OIPT: травление Ta на 1 мкм |
Технологические особенности:
- реактивное ионное травление с применением индуктивно-связанной плазмы с помощью ВЧ генератора с параллельными электродами и частотой возбуждения плазмы – 13.56 МГц
- среда: хлорсодержащая плазма
- анизотропное травление
Результаты:
- скорость: > 60 нм/мин
- селективность к “электронно-лучевому” резисту > 2:1
- селективность к маске из Al2O3 > 16 : 1
- очень высокая селективность к лежащим в основе слоям SiN и SiC (рентгеновская поглощающая маска на основе SiN или SiC)
- равномерность по 4 дюймовой пластине 4%
- травление с низким количеством дефектов ввиду низкого (<40В) смещением на подложке